摘要：海普開(kāi)發(fā)的HP3600納米除氟吸附劑，這種樹(shù)脂對水體中的氟均具有高效的選擇性，已應用于多個(gè)領(lǐng)域含氟廢水的處理，為客戶(hù)提供了優(yōu)質(zhì)、高效的除氟解決方案。

#半導體光伏廢水深度除氟樹(shù)脂 半導體作為各種高xin技術(shù)飛速發(fā)展的基礎，其重要性不言而喻。近十年來(lái)，國家相繼推出多項政策鼓勵半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，然而，快速的發(fā)展過(guò)程也帶來(lái)了污染問(wèn)題。

芯片生產(chǎn)廢水中的污染問(wèn)題一直未被重視，其中包括高氟廢水，刻蝕母液廢水中產(chǎn)生大量的氫氟酸，氟去除難度大，需要大量投加鈣離子。

彩膜廢水具有色度高的特點(diǎn)，有機物含有偶氮基、硫代羰基等發(fā)色基團和羥基及?；戎鶊F，脫色困難，生化性差。含磷廢水中有機磷和無(wú)機磷的濃度高。此外還有重金屬銅廢水，對微生物毒害大。傳統的生化工藝難以實(shí)現較好的去除效果，需分類(lèi)治理。

針對于半導體芯片染料廢水中的氟廢水的處理較棘手，工業(yè)廢水氟離子的排放標準為10ppm，但是近年來(lái)地方標準氟離子的去除提升至地表四類(lèi)水1.5ppm。進(jìn)水pH低且有機質(zhì)低，單一的生化或物化技術(shù)難以實(shí)現高氟廢水污染物的深度去除。

現有技術(shù)通過(guò)鈣離子沉淀+絮凝沉淀可明顯降低出水氟，但是并不能深度去除氟離子，難以滿(mǎn)足日益嚴格的排放要求。因此亟需一種能對廢水實(shí)現深度、高效脫氟的工藝。

傳統雙鈣法除氟工藝對氟的去處程度有限，不能滿(mǎn)足日益嚴格的廢水排放標準（出水低于1.5mg/L的深度除氟要求），因此，實(shí)現含氟廢水的高效深度凈化是實(shí)現清潔生產(chǎn)、綠色高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵問(wèn)題之一。

海普開(kāi)發(fā)的HP3600納米除氟吸附劑，這種樹(shù)脂對水體中的氟均具有高效的選擇性，已應用于多個(gè)領(lǐng)域含氟廢水的處理，為客戶(hù)提供了優(yōu)質(zhì)、高效的除氟解決方案。

海普納米除氟吸附劑的主要優(yōu)勢有：

• 選擇性強：除氟樹(shù)脂對氟離子具有高度的選擇性，去除氟離子同時(shí)對其他陰離子和陽(yáng)離子具有較低的吸附能力；

• 吸附容量大：該型樹(shù)脂具有較高的吸附容量，可以處理大量的含氟廢水，長(cháng)時(shí)間使用后仍能保持較高的吸附效率，使用壽命長(cháng)；

• 抗污染性強：該型樹(shù)脂結構及官能團特殊，不易被污染物粘附；

• 再生性強：除氟樹(shù)脂可以脫附再生，避免了因廢棄而導致的環(huán)境污染和資源浪費。